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全球的DRAM记忆体颗粒市场上，三星、SK海力士、美光已经呈现三分天下的架势，其中三星无论工艺、产能还是佔有率都有绝对优势。2014年第一个量产20nm DRAM工艺之后，如今三星再次领跑，已经量产了18nm DRAM。据韩国媒体报导，三星去年已经将70％的DRAM产能转换到20nm，如今又进入了18nm时代，领先优势进一步扩大。
相比之下，SK海力士明年初才会量产18nm DRAM，而美光还停留在前往20nm的路上。

另一方面，随着半导体技术的日益複杂，工艺进步的空间似乎越来越小。CPU处理器从20nm来到了16/14nm，NAND快闪记忆体则从20nm走到了16/15nm，DRAM记忆体仅仅从20nm变到18nm，是不是停滞了？

显然非也。三星20nn DRAM工艺通过双重曝光技术、採用蜂窝状结构，将单元密度提升了多达70％，18nm上则会进一步使用四重曝光技术，每一次电路蚀刻都要进行3-4次曝光，并继续改进结构密度，整体效能可提升至少20％。

而在市场方面，随着新工艺的到来、产能的扩大，以及PC需求的下降、收集需求的增长减缓，记忆体价格将在今年出现大幅度下滑，下半年至少会降20-30％，最多可达40％。三星18nm加入战局，必然会进一步刺激价格走低。


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