东芝电子元件及存储装置株式会社(“东芝”)今日宣布,推出业界首款[1]2200V双碳化硅(SiC)MOSFET模块---“MG250YD2YMS3”。新模块采用东芝第3代SiC MOSFET芯片,其漏极电流(DC)额定值为250A,适用于光伏发电系统和储能系统等使用DC 1500V的应用。该产品于今日开始支持批量出货。

类似上述的工业应用通常使用DC 1000V或更低功率,其功率器件多为1200V或1700V产品。然而,预计未来几年内DC 1500V将得到广泛应用,因此东芝发布了业界首款2200V产品。


【资料图】

MG250YD2YMS3具有低导通损耗和(典型值)的低漏极-源极导通电压(传感器)[2]。此外,它还具有较低的开通和关断损耗,分别为14mJ(典型值)[3]和11mJ(典型值)[3],与典型的硅(Si)IGBT相比降低了约90%[4]。这些特性均有助于提高设备效率。由于MG250YD2YMS3可实现较低的开关损耗,用户可采用模块数量更少的两电平电路取代传统的三电平电路,有助于设备的小型化。

东芝将不断创新,持续满足市场对高效率和工业设备小型化的需求。

 应用:

工业设备

- 可再生能源发电系统(光伏发电系统等)

- 储能系统

- 工业设备用电机控制设备

- 高频DC-DC转换器等设备

 特性:

- 低漏极-源极导通电压(传感器):

VDS(on)sense=(典型值)(ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃)

- 低开通损耗:

Eon=14mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

- 低关断损耗:

Eoff=11mJ(典型值)(VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃)

- 低寄生电感:

LsPN=12nH(典型值)

 主要规格:

(除非另有说明,Ta=25℃)

器件型号MG250YD2YMS3
东芝封装名称2-153A1A
绝对漏源电压VDSS(V)2200
最大栅源电压VGSS(V)-
额定值漏极电流(DC)ID(A)250
漏极电流(脉冲)IDP(A)500
结温Tch(℃)150
绝缘电压Visol(Vrms)4000
电气漏极-源极导通电压(传感器):ID=250A、VGS=+20V、典型值
特性VDS(on)sense(V)Tch=25℃
源极-漏极导通电压(传感器):IS=250A、VGS=+20V、典型值
VSD(on)sense(V)Tch=25℃
源极-漏极关断电压(传感器):IS=250A、VGS=-6V、典型值
VSD(off)sense(V)Tch=25℃
开通损耗VDD=1100V、典型值14
Eon(mJ)ID=250A、Tch=150℃
关断损耗典型值11
Eoff(mJ)
寄生电感LsPN(nH)典型值12
注:

[1] 采样范围仅限于双SiC MOSFET模块。数据基于东芝截至2023年8月的调研。

[2] 测量条件:ID=250A、VGS=+20V、Tch=25℃

[3] 测量条件:VDD=1100V、ID=250A、Tch=150℃

[4] 截至2023年8月,东芝对2300V Si模块和新型SiC MOSFET芯片MG250YD2YMS3开关损耗进行比较(2300V Si模块的性能值是东芝根据2023年3月或之前发表的论文做出的预估)。

如需了解相关新产品的更多信息,请访问以下网址:

MG250YD2YMS3

https://toshiba-semicon-storage. ...

如需了解东芝碳化硅功率器件的更多信息,请访问以下网址:

碳化硅功率器件

https://toshiba-semicon-storage. ... -

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